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      晶圓大廠遭攻擊被迫停產,國內碳化硅廠商有望接收轉移訂單

      日期:2020-07-14 15:00:13

             據報道,全球領先的晶圓大廠X-FAB發布公告稱,X-FAB集團受到網絡攻擊,所有IT系統均已立即停止,所有6個生產基地的生產都已停止。

        X-FAB是全球領先的模擬/混合信號和MEMS芯片代工企業,每月的總產能約為100,000個8英寸等效晶片。

        從業務上看,CMOS業務是公司最大的業務來源,其次是MEMS業務。然而最值得一提的是該公司的碳化硅(SiC)業務。該業務位于德克薩斯州拉伯克的工廠同時為20個SiC客戶提供服務,其中越來越多的份額來自亞洲地區。

       

        X-FAB表示無法估計將中斷多長時間和達到多少程度。業內人士表示全球半導體晶圓制造產業恐受沖擊。

        根據Yole的預測,全球電動汽車和充電樁SiC功率器件市場規模將從2018年的0.65億美元增長至2023年的4.4億美元以上,CAGR約46%。除此之外,軌道交通、供電、電機驅動等領域也將保持較快的增速。

        總體來看,全球SiC功率器件市場規模將從2018年的3.7億美元增長至2023年的近14億美元,CAGR超過30%。

        SiC是第三代半導體材料的代表。而言,目前Si MOSFET應用多在10 00V以下,約在600~900V之間,若超過1000V,其芯片尺寸會很大,切換損耗、寄生電容也會上升。

        SiC器件相對于Si器件的優勢之處在于,降低能量損耗、更易實現小型化和更耐高溫。SiC功率器件的損耗是Si器件的50%左右。SiC主要用于實現電動車逆變器等驅動系統的小量輕化。

        當前制約SiC器件發展的主要因素在于其高昂的價格,而成本的主要決定因素是襯底和晶圓尺寸。未來隨著技術的發展,襯底的成本將會慢慢下降,晶圓的尺寸也會越做越大,價格也會慢慢下降,因此未來SiC市場空間的增速會越來越快。

        SiC關鍵技術由海外公司壟斷,從產業鏈來看,上游部分,CREE公司獨占SiC制造市場份額60%以上;中游部分,英飛凌、CREE、意法半導體和安森美等功率半導體領域國際排名前十的企業合計已在SiC功率器件市場占據50%以上份額。

        相比于美國CREE公司于2003年推出SiC產品,國內公司起步晚。直到2015年初,泰科天潤才首次實現了碳化硅肖特基二極管的量產。國內如揚杰科技、中車、中電13所等公司及研究機構近年來也加大對碳化硅器件的研究,逐步打破國外公司的封鎖,目前也已經形成完整的碳化硅產業鏈——即上游襯底、中游外延片、下游器件制造。

        2018年7月國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發布,提出了中國第三代半導體電力電子技術的發展路徑及產業建設。福建省更是投入500億,成立專門的安芯基金來建設第三代半導體產業集群。

        另據中國電科總經理稱,碳化硅已完全自主供應,中電科實現4英寸晶片大批量產,6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證,預計年底達到產業化應用與國際水平相當。X-FAB停產,部分訂單有望轉移至國內廠商,利好碳化硅產業鏈相關企業。

      來源:樂晴智庫

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